BF960

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Metal oxide N-channel FET, depletion type w. diode Dual-Gate, UHF, 20V, Idss--2mA, Up--2,7V   

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Caratteristiche :
 
Metal oxide N-channel FET, depletion type w. diode Dual-Gate, UHF, 20V, Idss--2mA, Up--2,7V   
Equivalenti :
BF 900, BF 965..966

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    BF960
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    Nuovo

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