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2SK4145
Nuovo
Metal oxide N-channel FET, enhancement type with diode S-L, 60V, 84A, 84W, RDS(on) --10mOhm
Politiche per la sicurezza
Collegamenti sicuri e protetti da certificato Comodo EV SSL
Politiche per le spedizioni
Spedizioni sicure con corrieri espressi Tracciabili
Politiche per i resi
Resi garantiti previa autorizazione RMA
Caratteristiche :
- Drain to Source Voltage (VGS = 0 V) VDSS 60 V
- Gate to Source Voltage (VDS = 0 V) VGSS ±20 V
- Drain Current (DC) (TC = 25°C) ID(DC) ±84 A
- Drain Current (pulse) Note1 ID(pulse) ±215 A
- Total Power Dissipation (TC = 25°C) PT1 84 W
- Total Power Dissipation (TA = 25°C) PT2 1.5 W
- Channel Temperature Tch 150 °C
- Storage Temperature Tstg −55 to +150 °C
- Single Avalanche Current Note2 IAS 32 A
- Single Avalanche Energy Note2 EAS 102 mJ
2SK4145
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Metal oxide N-channel FET, enhancement type with diode S-L, 60V, 84A, 84W, RDS(on) --10mOhm
